Справочник MOSFET. TSF9N90M

 

TSF9N90M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSF9N90M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для TSF9N90M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSF9N90M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:927K  truesemi
 tsf9n90m.pdf pdf_icon

TSF9N90M

TSF9N90M 900V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 9A,900V,Max.RDS(on)=1.4 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 52nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and

Другие MOSFET... TSP60R190S2 , TSF65R190S2 , TSP65R190S2 , TSA65R190S2 , TSK65R190S2 , TSF65R360S2 , TSF840MD , TSF840MR , BS170 , TSK80R240S1 , TSK82N25M , TSP10N60M , TSF10N60M , TSP10N65M , TSF10N65M , TSP12N60M , TSF12N60M .

History: VBA1310S

 

 
Back to Top

 


 
.