TSK80R240S1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSK80R240S1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 27.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

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TSK80R240S1 Datasheet (PDF)

..1. Size:636K truesemi
tsk80r240s1.pdf

TSK80R240S1 800V 18.4A N-Channel SJ-MOSFET Features General Description 850V @TJ = 150 Typ. RDS(on) = 0.21 Truesemi SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family Ultra Low gate charge (typ. Qg = 27.5nC) that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding 100% avalanche tested low on-resistance and lower gate charge performanc

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