Справочник MOSFET. TSK80R240S1

 

TSK80R240S1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSK80R240S1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для TSK80R240S1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSK80R240S1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:636K  truesemi
 tsk80r240s1.pdf pdf_icon

TSK80R240S1

TSK80R240S1 800V 18.4A N-Channel SJ-MOSFET Features General Description 850V @TJ = 150 Typ. RDS(on) = 0.21 Truesemi SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family Ultra Low gate charge (typ. Qg = 27.5nC) that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding 100% avalanche tested low on-resistance and lower gate charge performanc

Другие MOSFET... TSF65R190S2 , TSP65R190S2 , TSA65R190S2 , TSK65R190S2 , TSF65R360S2 , TSF840MD , TSF840MR , TSF9N90M , IRFZ44N , TSK82N25M , TSP10N60M , TSF10N60M , TSP10N65M , TSF10N65M , TSP12N60M , TSF12N60M , TSP12N65M .

History: 12P10G-TMS4-T | AFN3606S | HY3208B | VS6880AT

 

 
Back to Top

 


 
.