TSK80R240S1 - описание и поиск аналогов

 

TSK80R240S1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSK80R240S1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для TSK80R240S1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSK80R240S1 даташит

 ..1. Size:636K  truesemi
 tsk80r240s1.pdf pdf_icon

TSK80R240S1

TSK80R240S1 800V 18.4A N-Channel SJ-MOSFET Features General Description 850V @TJ = 150 Typ. RDS(on) = 0.21 Truesemi SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family Ultra Low gate charge (typ. Qg = 27.5nC) that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding 100% avalanche tested low on-resistance and lower gate charge performanc

Другие MOSFET... TSF65R190S2 , TSP65R190S2 , TSA65R190S2 , TSK65R190S2 , TSF65R360S2 , TSF840MD , TSF840MR , TSF9N90M , IRFZ44N , TSK82N25M , TSP10N60M , TSF10N60M , TSP10N65M , TSF10N65M , TSP12N60M , TSF12N60M , TSP12N65M .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.