Справочник MOSFET. TSK80R240S1

 

TSK80R240S1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSK80R240S1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TSK80R240S1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:636K  truesemi
 tsk80r240s1.pdf pdf_icon

TSK80R240S1

TSK80R240S1 800V 18.4A N-Channel SJ-MOSFET Features General Description 850V @TJ = 150 Typ. RDS(on) = 0.21 Truesemi SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family Ultra Low gate charge (typ. Qg = 27.5nC) that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding 100% avalanche tested low on-resistance and lower gate charge performanc

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI9435DY-T1 | SKI04024

 

 
Back to Top

 


 
.