TSP10N60M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSP10N60M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 162 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSP10N60M

TSP10N60M Datasheet (PDF)

..1. Size:1124K truesemi
tsp10n60m tsf10n60m.pdf

TSP10N60M/TSF10N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 10.0A,600V,Max.RDS(on)=0.8 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 48nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance,

7.1. Size:1254K truesemi
tsp10n65m tsf10n65m.pdf

TSP10N65M/TSF10N65M650V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 10.0A,650V,Max.RDS(on)=1.0 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 48nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, a

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History: FDP3651U

Liste

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