Справочник MOSFET. TSP10N60M

 

TSP10N60M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSP10N60M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TSP10N60M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1124K  truesemi
 tsp10n60m tsf10n60m.pdf pdf_icon

TSP10N60M

TSP10N60M/TSF10N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 10.0A,600V,Max.RDS(on)=0.8 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 48nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance,

 7.1. Size:1254K  truesemi
 tsp10n65m tsf10n65m.pdf pdf_icon

TSP10N60M

TSP10N65M/TSF10N65M650V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 10.0A,650V,Max.RDS(on)=1.0 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 48nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, a

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AP2325GEN | FDD8453LZ-F085 | NDT6N70 | MDIS1501TH | FQI9N50CTU | IPD50R280CE | AO4862E

 

 
Back to Top

 


 
.