TSP10N60M - описание и поиск аналогов

 

TSP10N60M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSP10N60M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TSP10N60M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSP10N60M даташит

 ..1. Size:1124K  truesemi
 tsp10n60m tsf10n60m.pdf pdf_icon

TSP10N60M

TSP10N60M/TSF10N60M 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 10.0A,600V,Max.RDS(on)=0.8 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 48nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance,

 7.1. Size:1254K  truesemi
 tsp10n65m tsf10n65m.pdf pdf_icon

TSP10N60M

TSP10N65M/TSF10N65M 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 10.0A,650V,Max.RDS(on)=1.0 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 48nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, a

Другие MOSFET... TSA65R190S2 , TSK65R190S2 , TSF65R360S2 , TSF840MD , TSF840MR , TSF9N90M , TSK80R240S1 , TSK82N25M , IRF740 , TSF10N60M , TSP10N65M , TSF10N65M , TSP12N60M , TSF12N60M , TSP12N65M , TSF12N65M , TSP13N50M .

History: SVF830T | FM400TU-3A | LND2N60 | SM1110NSA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.