TSP10N65M Todos los transistores

 

TSP10N65M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSP10N65M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 162 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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TSP10N65M datasheet

 ..1. Size:1254K  truesemi
 tsp10n65m tsf10n65m.pdf pdf_icon

TSP10N65M

TSP10N65M/TSF10N65M 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 10.0A,650V,Max.RDS(on)=1.0 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 48nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, a

 7.1. Size:1124K  truesemi
 tsp10n60m tsf10n60m.pdf pdf_icon

TSP10N65M

TSP10N60M/TSF10N60M 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 10.0A,600V,Max.RDS(on)=0.8 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 48nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance,

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