Справочник MOSFET. TSP10N65M

 

TSP10N65M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSP10N65M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TSP10N65M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSP10N65M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1254K  truesemi
 tsp10n65m tsf10n65m.pdf pdf_icon

TSP10N65M

TSP10N65M/TSF10N65M650V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 10.0A,650V,Max.RDS(on)=1.0 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 48nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, a

 7.1. Size:1124K  truesemi
 tsp10n60m tsf10n60m.pdf pdf_icon

TSP10N65M

TSP10N60M/TSF10N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 10.0A,600V,Max.RDS(on)=0.8 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 48nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance,

Другие MOSFET... TSF65R360S2 , TSF840MD , TSF840MR , TSF9N90M , TSK80R240S1 , TSK82N25M , TSP10N60M , TSF10N60M , 20N60 , TSF10N65M , TSP12N60M , TSF12N60M , TSP12N65M , TSF12N65M , TSP13N50M , TSF13N50M , TSP4N60M .

History: SM4915PSK | SWW20N65K | ZXM62P02E6

 

 
Back to Top

 


 
.