TSF10N65M Todos los transistores

 

TSF10N65M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSF10N65M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 52 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 48 nC
   Tiempo de subida (tr): 70 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 165 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSF10N65M

 

TSF10N65M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1254K  truesemi
tsp10n65m tsf10n65m.pdf

TSF10N65M TSF10N65M

TSP10N65M/TSF10N65M650V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 10.0A,650V,Max.RDS(on)=1.0 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 48nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, a

 7.1. Size:1124K  truesemi
tsp10n60m tsf10n60m.pdf

TSF10N65M TSF10N65M

TSP10N60M/TSF10N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 10.0A,600V,Max.RDS(on)=0.8 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 48nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance,

 8.1. Size:692K  truesemi
tsf10n80m.pdf

TSF10N65M TSF10N65M

TSF10N80M 800V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 10.0A,800V,Max.RDS(on)=1.10 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 45nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance,

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


TSF10N65M
  TSF10N65M
  TSF10N65M
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: MRF5035 | MRF5015 | MRF5007R1 | MRF5007 | MRF5003 | MRF275G | MRF184S | MRF184 | MRF177M | MRF177 | MRF176GV | MRF176GU | MRF175LV | MRF175LU | MRF175GV | MRF175GU

 

 

 
Back to Top