Справочник MOSFET. TSF10N65M

 

TSF10N65M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSF10N65M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для TSF10N65M

 

 

TSF10N65M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1254K  truesemi
 tsp10n65m tsf10n65m.pdf

TSF10N65M TSF10N65M

TSP10N65M/TSF10N65M650V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 10.0A,650V,Max.RDS(on)=1.0 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 48nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, a

 7.1. Size:1124K  truesemi
 tsp10n60m tsf10n60m.pdf

TSF10N65M TSF10N65M

TSP10N60M/TSF10N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 10.0A,600V,Max.RDS(on)=0.8 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 48nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance,

 8.1. Size:692K  truesemi
 tsf10n80m.pdf

TSF10N65M TSF10N65M

TSF10N80M 800V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 10.0A,800V,Max.RDS(on)=1.10 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 45nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance,

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top