TSF12N60M MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

TSF12N60M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSF12N60M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: TO220F

Búsqueda de reemplazo de TSF12N60M MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

TSF12N60M datasheet

..1. Size:1165K truesemi
tsp12n60m tsf12n60m.pdf pdf_icon

TSP12N60M/TSF12N60M 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 12A,600V,Max.RDS(on)=0.7 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 52nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, an

7.1. Size:1088K truesemi
tsp12n65m tsf12n65m.pdf pdf_icon

TSP12N65M/TSF12N65M 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 12A,650V,Max.RDS(on)=0.75 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 52nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, a

Otros transistores... TSF9N90M, TSK80R240S1, TSK82N25M, TSP10N60M, TSF10N60M, TSP10N65M, TSF10N65M, TSP12N60M, 50N06, TSP12N65M, TSF12N65M, TSP13N50M, TSF13N50M, TSP4N60M, TSF4N60M, TSP5N65M, TSF5N65M

🌐 : EN ES РУ

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

TSF12N60M Todos los transistores