Справочник MOSFET. TSF12N60M

 

TSF12N60M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSF12N60M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для TSF12N60M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSF12N60M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1165K  truesemi
 tsp12n60m tsf12n60m.pdf pdf_icon

TSF12N60M

TSP12N60M/TSF12N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 12A,600V,Max.RDS(on)=0.7 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 52nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, an

 7.1. Size:1088K  truesemi
 tsp12n65m tsf12n65m.pdf pdf_icon

TSF12N60M

TSP12N65M/TSF12N65M650V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 12A,650V,Max.RDS(on)=0.75 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 52nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, a

Другие MOSFET... TSF9N90M , TSK80R240S1 , TSK82N25M , TSP10N60M , TSF10N60M , TSP10N65M , TSF10N65M , TSP12N60M , 50N06 , TSP12N65M , TSF12N65M , TSP13N50M , TSF13N50M , TSP4N60M , TSF4N60M , TSP5N65M , TSF5N65M .

History: STF32N65M5 | IXTH90P10P | 2SK1206

 

 
Back to Top

 


 
.