TSF12N60M - описание и поиск аналогов

 

TSF12N60M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSF12N60M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для TSF12N60M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSF12N60M даташит

 ..1. Size:1165K  truesemi
 tsp12n60m tsf12n60m.pdf pdf_icon

TSF12N60M

TSP12N60M/TSF12N60M 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 12A,600V,Max.RDS(on)=0.7 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 52nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, an

 7.1. Size:1088K  truesemi
 tsp12n65m tsf12n65m.pdf pdf_icon

TSF12N60M

TSP12N65M/TSF12N65M 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 12A,650V,Max.RDS(on)=0.75 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 52nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, a

Другие IGBT... TSF9N90M, TSK80R240S1, TSK82N25M, TSP10N60M, TSF10N60M, TSP10N65M, TSF10N65M, TSP12N60M, 50N06, TSP12N65M, TSF12N65M, TSP13N50M, TSF13N50M, TSP4N60M, TSF4N60M, TSP5N65M, TSF5N65M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.