Справочник MOSFET. TSF12N60M

 

TSF12N60M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSF12N60M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для TSF12N60M

 

 

TSF12N60M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1165K  truesemi
 tsp12n60m tsf12n60m.pdf

TSF12N60M TSF12N60M

TSP12N60M/TSF12N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 12A,600V,Max.RDS(on)=0.7 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 52nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, an

 7.1. Size:1088K  truesemi
 tsp12n65m tsf12n65m.pdf

TSF12N60M TSF12N60M

TSP12N65M/TSF12N65M650V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 12A,650V,Max.RDS(on)=0.75 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 52nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, a

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top