TSP13N50M MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

TSP13N50M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSP13N50M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm

Encapsulados: TO220

Búsqueda de reemplazo de TSP13N50M MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

TSP13N50M datasheet

..1. Size:1269K truesemi
tsp13n50m tsf13n50m.pdf pdf_icon

TSP13N50M/TSF13N50M 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 13A,500V,Max.RDS(on)=0.48 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 45nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness perfo

Otros transistores... TSP10N60M, TSF10N60M, TSP10N65M, TSF10N65M, TSP12N60M, TSF12N60M, TSP12N65M, TSF12N65M, IRF640, TSF13N50M, TSP4N60M, TSF4N60M, TSP5N65M, TSF5N65M, TSP740MR, TSF740MR, TSP7N60M

🌐 : EN ES РУ

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

TSP13N50M Todos los transistores