TSP13N50M Todos los transistores

 

TSP13N50M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSP13N50M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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TSP13N50M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1269K  truesemi
 tsp13n50m tsf13n50m.pdf pdf_icon

TSP13N50M

TSP13N50M/TSF13N50M 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 13A,500V,Max.RDS(on)=0.48 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 45nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperfo

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History: BSO200P03S | TT8K11 | NP82N055NHE

 

 
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