Справочник MOSFET. TSP13N50M

 

TSP13N50M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSP13N50M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TSP13N50M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSP13N50M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1269K  truesemi
 tsp13n50m tsf13n50m.pdf pdf_icon

TSP13N50M

TSP13N50M/TSF13N50M 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 13A,500V,Max.RDS(on)=0.48 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 45nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperfo

Другие MOSFET... TSP10N60M , TSF10N60M , TSP10N65M , TSF10N65M , TSP12N60M , TSF12N60M , TSP12N65M , TSF12N65M , IRFP460 , TSF13N50M , TSP4N60M , TSF4N60M , TSP5N65M , TSF5N65M , TSP740MR , TSF740MR , TSP7N60M .

History: PDN3914S | NTMFS4847NT1G | BRCS120N06SYM | AP9938GEY | P1850EF | RJK5030DPP-M0 | DMN67D8LW

 

 
Back to Top

 


 
.