TSP13N50M - описание и поиск аналогов

 

TSP13N50M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSP13N50M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TSP13N50M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSP13N50M даташит

 ..1. Size:1269K  truesemi
 tsp13n50m tsf13n50m.pdf pdf_icon

TSP13N50M

TSP13N50M/TSF13N50M 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 13A,500V,Max.RDS(on)=0.48 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 45nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness perfo

Другие IGBT... TSP10N60M, TSF10N60M, TSP10N65M, TSF10N65M, TSP12N60M, TSF12N60M, TSP12N65M, TSF12N65M, IRF640, TSF13N50M, TSP4N60M, TSF4N60M, TSP5N65M, TSF5N65M, TSP740MR, TSF740MR, TSP7N60M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.