TSP4N60M Todos los transistores

 

TSP4N60M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSP4N60M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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TSP4N60M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1096K  truesemi
 tsp4n60m tsf4n60m.pdf pdf_icon

TSP4N60M

TSP4N60M/TSF4N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 4.0A,600V,Max.RDS(on)=2.5 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 16nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and

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History: 2N7002PT | HGB021N08A | SVGP066R1NL5 | CSD18535KCS | SLP12N65C | SSM2312GN | STW32NM50N

 

 
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