TSP4N60M - описание и поиск аналогов

 

TSP4N60M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSP4N60M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TSP4N60M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSP4N60M даташит

 ..1. Size:1096K  truesemi
 tsp4n60m tsf4n60m.pdf pdf_icon

TSP4N60M

TSP4N60M/TSF4N60M 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 4.0A,600V,Max.RDS(on)=2.5 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 16nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and

Другие IGBT... TSP10N65M, TSF10N65M, TSP12N60M, TSF12N60M, TSP12N65M, TSF12N65M, TSP13N50M, TSF13N50M, IRLZ44N, TSF4N60M, TSP5N65M, TSF5N65M, TSP740MR, TSF740MR, TSP7N60M, TSF7N60M, TSP7N65M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.