TSP4N60M - аналоги и даташиты транзистора

 

TSP4N60M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TSP4N60M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TSP4N60M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSP4N60M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1096K  truesemi
 tsp4n60m tsf4n60m.pdf pdf_icon

TSP4N60M

TSP4N60M/TSF4N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 4.0A,600V,Max.RDS(on)=2.5 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 16nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and

Другие MOSFET... TSP10N65M , TSF10N65M , TSP12N60M , TSF12N60M , TSP12N65M , TSF12N65M , TSP13N50M , TSF13N50M , IRFB4110 , TSF4N60M , TSP5N65M , TSF5N65M , TSP740MR , TSF740MR , TSP7N60M , TSF7N60M , TSP7N65M .

History: PR802BA33 | PT5B9BA | PV616DA | CEB14N5

 

 
Back to Top

 


 
.