TSF4N60M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSF4N60M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO220F

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TSF4N60M datasheet

 ..1. Size:1096K  truesemi
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TSF4N60M

TSP4N60M/TSF4N60M 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 4.0A,600V,Max.RDS(on)=2.5 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 16nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and

 9.1. Size:1591K  truesemi
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TSF4N60M

TSF4N90M 900V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s Drain-Source breakdown voltage advanced planar stripe DMOS technology. BVDSS=900V (Min.) This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Low gate charge Qg=22nC (Typ.) performance, and withstand high

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