Справочник MOSFET. TSF4N60M

 

TSF4N60M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSF4N60M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для TSF4N60M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSF4N60M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1096K  truesemi
 tsp4n60m tsf4n60m.pdf pdf_icon

TSF4N60M

TSP4N60M/TSF4N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 4.0A,600V,Max.RDS(on)=2.5 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 16nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and

 9.1. Size:1591K  truesemi
 tsf4n90m.pdf pdf_icon

TSF4N60M

TSF4N90M900V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis Drain-Source breakdown voltage:advanced planar stripe DMOS technology.BVDSS=900V (Min.)This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Low gate charge: Qg=22nC (Typ.)performance, and withstand high

Другие MOSFET... TSF10N65M , TSP12N60M , TSF12N60M , TSP12N65M , TSF12N65M , TSP13N50M , TSF13N50M , TSP4N60M , IRF640N , TSP5N65M , TSF5N65M , TSP740MR , TSF740MR , TSP7N60M , TSF7N60M , TSP7N65M , TSF7N65M .

History: NVD5117PL | SSM4500GM | AON7532E | SI2301CDS | TSM85N10CZ | HSS3400A

 

 
Back to Top

 


 
.