TSF4N60M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSF4N60M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для TSF4N60M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSF4N60M даташит

 ..1. Size:1096K  truesemi
 tsp4n60m tsf4n60m.pdf pdf_icon

TSF4N60M

TSP4N60M/TSF4N60M 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 4.0A,600V,Max.RDS(on)=2.5 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 16nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and

 9.1. Size:1591K  truesemi
 tsf4n90m.pdf pdf_icon

TSF4N60M

TSF4N90M 900V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s Drain-Source breakdown voltage advanced planar stripe DMOS technology. BVDSS=900V (Min.) This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Low gate charge Qg=22nC (Typ.) performance, and withstand high

Другие IGBT... TSF10N65M, TSP12N60M, TSF12N60M, TSP12N65M, TSF12N65M, TSP13N50M, TSF13N50M, TSP4N60M, IRFB4110, TSP5N65M, TSF5N65M, TSP740MR, TSF740MR, TSP7N60M, TSF7N60M, TSP7N65M, TSF7N65M