TSP840MR Todos los transistores

 

TSP840MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSP840MR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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TSP840MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  truesemi
 tsp840mr tsf840mr.pdf pdf_icon

TSP840MR

TSP840MR/TSF840MR 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 9.0A,500V,Max.RDS(on)=0.80 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 30nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperfor

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History: HTJ270N03 | IRF7726PBF | MPSC60M160 | 2SJ109 | DH100P18I | 2N7002NXAK | HGP042N10A

 

 
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