TSP840MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSP840MR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 139 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 30 nC
Tiempo de subida (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSP840MR
TSP840MR Datasheet (PDF)
..1. Size:661K truesemi
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TSP840MR/TSF840MR 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 9.0A,500V,Max.RDS(on)=0.80 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 30nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperfor
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