Справочник MOSFET. TSP840MR

 

TSP840MR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSP840MR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TSP840MR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSP840MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  truesemi
 tsp840mr tsf840mr.pdf pdf_icon

TSP840MR

TSP840MR/TSF840MR 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 9.0A,500V,Max.RDS(on)=0.80 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 30nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperfor

Другие MOSFET... TSP740MR , TSF740MR , TSP7N60M , TSF7N60M , TSP7N65M , TSF7N65M , TSP7N80M , TSF7N80M , 2SK3878 , TSP8N65M , TSF8N65M , YJB150G06AK , YJB150N06BQ , YJB200G06B , YJD15N10A , YJD18GP10A , YJD20N06A .

History: FTK7002K | BLP032N06-Q | IRFS542 | AOY2610E | OSG60R099JF | VBA4216 | ME4454-G

 

 
Back to Top

 


 
.