TSF8N65M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSF8N65M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO220F

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TSF8N65M datasheet

 ..1. Size:1169K  truesemi
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TSF8N65M

TSP8N65M/TSF8N65M 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 7.5A,650V,Max.RDS(on)=1.50 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 29nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, an

 8.1. Size:1268K  truesemi
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TSF8N65M

TSP8N60M/TSF8N60M 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 7.5A,600V,Max.RDS(on)=1.20 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 29nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, an

Otros transistores... TSP7N60M, TSF7N60M, TSP7N65M, TSF7N65M, TSP7N80M, TSF7N80M, TSP840MR, TSP8N65M, IRFP250N, YJB150G06AK, YJB150N06BQ, YJB200G06B, YJD15N10A, YJD18GP10A, YJD20N06A, YJD30N02A, YJD40N04A