Справочник MOSFET. TSF8N65M

 

TSF8N65M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSF8N65M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для TSF8N65M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSF8N65M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1169K  truesemi
 tsp8n65m tsf8n65m.pdf pdf_icon

TSF8N65M

TSP8N65M/TSF8N65M650V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 7.5A,650V,Max.RDS(on)=1.50 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 29nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, an

 8.1. Size:1268K  truesemi
 tsp8n60m tsf8n60m.pdf pdf_icon

TSF8N65M

TSP8N60M/TSF8N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 7.5A,600V,Max.RDS(on)=1.20 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 29nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, an

Другие MOSFET... TSP7N60M , TSF7N60M , TSP7N65M , TSF7N65M , TSP7N80M , TSF7N80M , TSP840MR , TSP8N65M , AON7408 , YJB150G06AK , YJB150N06BQ , YJB200G06B , YJD15N10A , YJD18GP10A , YJD20N06A , YJD30N02A , YJD40N04A .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.