YJB150G06AK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJB150G06AK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: TO263

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YJB150G06AK datasheet

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YJB150G06AK

RoHS COMPLIANT YJB150G06AK N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I (Silicon limited) 150A D R ( at V =10V) 3.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 5.0 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested ESD Protected up to 2.0KV(HBM) General Description Split Gate Trench MOSFET technology Ex

 8.1. Size:456K  cn yangzhou yangjie elec
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YJB150G06AK

RoHS COMPLIANT YJB150N06BQ N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 150A D R ( at V =10V) 5.5mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON) Applications

Otros transistores... TSF7N60M, TSP7N65M, TSF7N65M, TSP7N80M, TSF7N80M, TSP840MR, TSP8N65M, TSF8N65M, IRF630, YJB150N06BQ, YJB200G06B, YJD15N10A, YJD18GP10A, YJD20N06A, YJD30N02A, YJD40N04A, YJD45G10A