YJB150G06AK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJB150G06AK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 55.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJB150G06AK

YJB150G06AK Datasheet (PDF)

..1. Size:1175K cn yangzhou yangjie elec
yjb150g06ak.pdf

RoHS COMPLIANT YJB150G06AK N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I (Silicon limited) 150A D R ( at V =10V) 3.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 5.0 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested ESD Protected up to 2.0KV(HBM) General Description Split Gate Trench MOSFET technology Ex

8.1. Size:456K cn yangzhou yangjie elec
yjb150n06bq.pdf

RoHS COMPLIANT YJB150N06BQ N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 150A D R ( at V =10V) 5.5mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON)Applications

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Liste

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