YJB150G06AK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJB150G06AK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для YJB150G06AK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJB150G06AK даташит

 ..1. Size:1175K  cn yangzhou yangjie elec
 yjb150g06ak.pdf pdf_icon

YJB150G06AK

RoHS COMPLIANT YJB150G06AK N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I (Silicon limited) 150A D R ( at V =10V) 3.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 5.0 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested ESD Protected up to 2.0KV(HBM) General Description Split Gate Trench MOSFET technology Ex

 8.1. Size:456K  cn yangzhou yangjie elec
 yjb150n06bq.pdf pdf_icon

YJB150G06AK

RoHS COMPLIANT YJB150N06BQ N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 150A D R ( at V =10V) 5.5mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON) Applications

Другие IGBT... TSF7N60M, TSP7N65M, TSF7N65M, TSP7N80M, TSF7N80M, TSP840MR, TSP8N65M, TSF8N65M, IRF630, YJB150N06BQ, YJB200G06B, YJD15N10A, YJD18GP10A, YJD20N06A, YJD30N02A, YJD40N04A, YJD45G10A