YJB200G06B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJB200G06B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm

Encapsulados: TO263

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YJB200G06B datasheet

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YJB200G06B

RoHS COMPLIANT YJB200G06B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 200A D R ( at V =10V) 2.9 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON) Applications

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