Справочник MOSFET. YJB200G06B

 

YJB200G06B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YJB200G06B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для YJB200G06B

 

 

YJB200G06B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1269K  cn yangzhou yangjie elec
 yjb200g06b.pdf

YJB200G06B YJB200G06B

RoHS COMPLIANT YJB200G06B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 200A D R ( at V =10V) 2.9 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON)Applications

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top