YJB200G06B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: YJB200G06B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
Тип корпуса: TO263
YJB200G06B Datasheet (PDF)
yjb200g06b.pdf

RoHS COMPLIANT YJB200G06B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 200A D R ( at V =10V) 2.9 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON)Applications
Другие MOSFET... TSF7N65M , TSP7N80M , TSF7N80M , TSP840MR , TSP8N65M , TSF8N65M , YJB150G06AK , YJB150N06BQ , 2N7000 , YJD15N10A , YJD18GP10A , YJD20N06A , YJD30N02A , YJD40N04A , YJD45G10A , YJD45P03A , YJD50N03A .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
Popular searches
2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328