YJD15N10A Todos los transistores

 

YJD15N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJD15N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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YJD15N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:636K  cn yangzhou yangjie elec
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YJD15N10A

RoHS COMPLIANT YJD15N10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 15A D R ( at V =10V) 110 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 120 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density ce

Otros transistores... TSP7N80M , TSF7N80M , TSP840MR , TSP8N65M , TSF8N65M , YJB150G06AK , YJB150N06BQ , YJB200G06B , IRFP260 , YJD18GP10A , YJD20N06A , YJD30N02A , YJD40N04A , YJD45G10A , YJD45P03A , YJD50N03A , YJD60N02A .

History: 2SJ314-01S | ELM33400CA | AFP1073 | STB22NS25Z | MPSA80M670B | S60N15R | AP9970GW

 

 
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