YJD15N10A - аналоги и даташиты транзистора

 

YJD15N10A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: YJD15N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для YJD15N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD15N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:636K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd15n10a.pdf pdf_icon

YJD15N10A

RoHS COMPLIANT YJD15N10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 15A D R ( at V =10V) 110 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 120 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density ce

Другие MOSFET... TSP7N80M , TSF7N80M , TSP840MR , TSP8N65M , TSF8N65M , YJB150G06AK , YJB150N06BQ , YJB200G06B , 2SK3878 , YJD18GP10A , YJD20N06A , YJD30N02A , YJD40N04A , YJD45G10A , YJD45P03A , YJD50N03A , YJD60N02A .

History: 2SK3691-01MR | AP70SL1K4AI | IPD038N06N3 | IRF8308MTRPBF | UPA2350BT1P | UPA2350T1G | WM03P27M

 

 
Back to Top

 


 
.