Справочник MOSFET. YJD15N10A

 

YJD15N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJD15N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для YJD15N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD15N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:636K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd15n10a.pdf pdf_icon

YJD15N10A

RoHS COMPLIANT YJD15N10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 15A D R ( at V =10V) 110 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 120 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density ce

Другие MOSFET... TSP7N80M , TSF7N80M , TSP840MR , TSP8N65M , TSF8N65M , YJB150G06AK , YJB150N06BQ , YJB200G06B , IRFP260 , YJD18GP10A , YJD20N06A , YJD30N02A , YJD40N04A , YJD45G10A , YJD45P03A , YJD50N03A , YJD60N02A .

History: FMP13N60ES | MP10N60EIF | DMN15H310SE | IRFSZ35 | BF1202WR | P3606BEA | P5515BD

 

 
Back to Top

 


 
.