YJD18GP10A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJD18GP10A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: TO252

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YJD18GP10A datasheet

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YJD18GP10A

RoHS COMPLIANT YJD18GP10A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -100V DS I -18A D R ( at V =-10V) 90 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 110 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split gate trench MOSFET technology Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss

Otros transistores... TSF7N80M, TSP840MR, TSP8N65M, TSF8N65M, YJB150G06AK, YJB150N06BQ, YJB200G06B, YJD15N10A, STP75NF75, YJD20N06A, YJD30N02A, YJD40N04A, YJD45G10A, YJD45P03A, YJD50N03A, YJD60N02A, YJD60N04A