YJD18GP10A Todos los transistores

 

YJD18GP10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJD18GP10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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YJD18GP10A Datasheet (PDF)

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YJD18GP10A

RoHS COMPLIANT YJD18GP10A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -100V DS I -18A D R ( at V =-10V) 90 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 110 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split gate trench MOSFET technology Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss

Otros transistores... TSF7N80M , TSP840MR , TSP8N65M , TSF8N65M , YJB150G06AK , YJB150N06BQ , YJB200G06B , YJD15N10A , 12N60 , YJD20N06A , YJD30N02A , YJD40N04A , YJD45G10A , YJD45P03A , YJD50N03A , YJD60N02A , YJD60N04A .

History: NCE60P16AQ | IRFU1018EPBF | IRFP4242PBF | KRF7343 | RU16P8M4 | AOC3868 | NVMFS5C410NL

 

 
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