Справочник MOSFET. YJD18GP10A

 

YJD18GP10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YJD18GP10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для YJD18GP10A

 

 

YJD18GP10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:736K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd18gp10a.pdf

YJD18GP10A YJD18GP10A

RoHS COMPLIANT YJD18GP10A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -100V DS I -18A D R ( at V =-10V) 90 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 110 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split gate trench MOSFET technology Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top