YJD18GP10A - аналоги и даташиты транзистора

 

YJD18GP10A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: YJD18GP10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для YJD18GP10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD18GP10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:736K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd18gp10a.pdf pdf_icon

YJD18GP10A

RoHS COMPLIANT YJD18GP10A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -100V DS I -18A D R ( at V =-10V) 90 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 110 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split gate trench MOSFET technology Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss

Другие MOSFET... TSF7N80M , TSP840MR , TSP8N65M , TSF8N65M , YJB150G06AK , YJB150N06BQ , YJB200G06B , YJD15N10A , 12N60 , YJD20N06A , YJD30N02A , YJD40N04A , YJD45G10A , YJD45P03A , YJD50N03A , YJD60N02A , YJD60N04A .

History: AOC3868 | SVFP7N70MJ | SVF2N65F | SPA17N80C3 | FDP150N10A | UFZ24NL-TA3 | MSE20N06N

 

 
Back to Top

 


 
.