YJD30N02A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YJD30N02A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJD30N02A
YJD30N02A Datasheet (PDF)
yjd30n02a.pdf
RoHS COMPLIANT YJD30N02A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 30A D R ( at V =10V) 8.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 9.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 14 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package
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Liste
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