YJD30N02A Todos los transistores

 

YJD30N02A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJD30N02A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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YJD30N02A Datasheet (PDF)

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YJD30N02A

RoHS COMPLIANT YJD30N02A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 30A D R ( at V =10V) 8.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 9.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 14 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package

Otros transistores... TSP8N65M , TSF8N65M , YJB150G06AK , YJB150N06BQ , YJB200G06B , YJD15N10A , YJD18GP10A , YJD20N06A , IRF1010E , YJD40N04A , YJD45G10A , YJD45P03A , YJD50N03A , YJD60N02A , YJD60N04A , YJD65G10A , YJD80N03A .

History: 2SJ661-DL-E

 

 
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