Справочник MOSFET. YJD30N02A

 

YJD30N02A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJD30N02A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для YJD30N02A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD30N02A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:591K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd30n02a.pdf pdf_icon

YJD30N02A

RoHS COMPLIANT YJD30N02A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 30A D R ( at V =10V) 8.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 9.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 14 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package

Другие MOSFET... TSP8N65M , TSF8N65M , YJB150G06AK , YJB150N06BQ , YJB200G06B , YJD15N10A , YJD18GP10A , YJD20N06A , IRF1010E , YJD40N04A , YJD45G10A , YJD45P03A , YJD50N03A , YJD60N02A , YJD60N04A , YJD65G10A , YJD80N03A .

History: UTT30P06G-TQ2-T | CJ3415 | GSM8452 | VBZA4410 | GP2M008A060XGX | SFF25P20S2I-02 | IRFU1018E

 

 
Back to Top

 


 
.