YJD30N02A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJD30N02A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для YJD30N02A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD30N02A даташит

 ..1. Size:591K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd30n02a.pdf pdf_icon

YJD30N02A

RoHS COMPLIANT YJD30N02A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 30A D R ( at V =10V) 8.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 9.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 14 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package

Другие IGBT... TSP8N65M, TSF8N65M, YJB150G06AK, YJB150N06BQ, YJB200G06B, YJD15N10A, YJD18GP10A, YJD20N06A, IRF9540N, YJD40N04A, YJD45G10A, YJD45P03A, YJD50N03A, YJD60N02A, YJD60N04A, YJD65G10A, YJD80N03A