YJD40N04A Todos los transistores

 

YJD40N04A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJD40N04A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de YJD40N04A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

YJD40N04A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1217K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd40n04a.pdf pdf_icon

YJD40N04A

RoHS COMPLIANT YJD40N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40 V DS I 40 A D R ( at V = 10V) 13.0 mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 23.0 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High dens

Otros transistores... TSF8N65M , YJB150G06AK , YJB150N06BQ , YJB200G06B , YJD15N10A , YJD18GP10A , YJD20N06A , YJD30N02A , IRF4905 , YJD45G10A , YJD45P03A , YJD50N03A , YJD60N02A , YJD60N04A , YJD65G10A , YJD80N03A , YJD80N03B .

History: HM3N40R | BUK9Y113-100E | STP21N65M5 | 2SK4191LS | 2SK3833 | IRFU12N25DPBF | SPB02N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.