Справочник MOSFET. YJD40N04A

 

YJD40N04A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJD40N04A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD40N04A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1217K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd40n04a.pdf pdf_icon

YJD40N04A

RoHS COMPLIANT YJD40N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40 V DS I 40 A D R ( at V = 10V) 13.0 mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 23.0 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High dens

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.