YJD40N04A - аналоги и даташиты транзистора

 

YJD40N04A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: YJD40N04A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для YJD40N04A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD40N04A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1217K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd40n04a.pdf pdf_icon

YJD40N04A

RoHS COMPLIANT YJD40N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40 V DS I 40 A D R ( at V = 10V) 13.0 mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 23.0 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High dens

Другие MOSFET... TSF8N65M , YJB150G06AK , YJB150N06BQ , YJB200G06B , YJD15N10A , YJD18GP10A , YJD20N06A , YJD30N02A , 2N7000 , YJD45G10A , YJD45P03A , YJD50N03A , YJD60N02A , YJD60N04A , YJD65G10A , YJD80N03A , YJD80N03B .

History: WM03N06M | FDD3672_F085 | IRF122

 

 
Back to Top

 


 
.