YJD40N04A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJD40N04A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для YJD40N04A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD40N04A даташит

 ..1. Size:1217K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd40n04a.pdf pdf_icon

YJD40N04A

RoHS COMPLIANT YJD40N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40 V DS I 40 A D R ( at V = 10V) 13.0 mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 23.0 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High dens

Другие IGBT... TSF8N65M, YJB150G06AK, YJB150N06BQ, YJB200G06B, YJD15N10A, YJD18GP10A, YJD20N06A, YJD30N02A, IRF4905, YJD45G10A, YJD45P03A, YJD50N03A, YJD60N02A, YJD60N04A, YJD65G10A, YJD80N03A, YJD80N03B