YJD45G10A MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

YJD45G10A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJD45G10A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 399 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: TO252

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YJD45G10A datasheet

..1. Size:910K cn yangzhou yangjie elec
yjd45g10a.pdf pdf_icon

RoHS COMPLIANT YJD45G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 45A D R ( at V =10V) 17 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 21.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity

9.1. Size:1132K cn yangzhou yangjie elec
yjd45p03a.pdf pdf_icon

RoHS COMPLIANT YJD45P03A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -45A D R ( at V =-20V) 7.0mohm DS(ON) GS R ( at V =-10V) 8.0mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 13.0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology High density c

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