Справочник MOSFET. YJD45G10A

 

YJD45G10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJD45G10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 399 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для YJD45G10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD45G10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:910K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd45g10a.pdf pdf_icon

YJD45G10A

RoHS COMPLIANT YJD45G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 45A D R ( at V =10V) 17 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 21.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity

 9.1. Size:1132K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd45p03a.pdf pdf_icon

YJD45G10A

RoHS COMPLIANT YJD45P03A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -45A D R ( at V =-20V) 7.0mohm DS(ON) GS R ( at V =-10V) 8.0mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 13.0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology High density c

Другие MOSFET... YJB150G06AK , YJB150N06BQ , YJB200G06B , YJD15N10A , YJD18GP10A , YJD20N06A , YJD30N02A , YJD40N04A , 5N60 , YJD45P03A , YJD50N03A , YJD60N02A , YJD60N04A , YJD65G10A , YJD80N03A , YJD80N03B , YJD90N02A .

History: HFN6N70U | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | BRCS120P03ZC | AP80N30W | LSB60R092GF

 

 
Back to Top

 


 
.