YJD45P03A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJD45P03A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 308 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJD45P03A

YJD45P03A Datasheet (PDF)

..1. Size:1132K cn yangzhou yangjie elec
yjd45p03a.pdf

RoHS COMPLIANT YJD45P03A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -45A D R ( at V =-20V) 7.0mohm DS(ON) GS R ( at V =-10V) 8.0mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 13.0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology High density c

9.1. Size:910K cn yangzhou yangjie elec
yjd45g10a.pdf

RoHS COMPLIANT YJD45G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 45A D R ( at V =10V) 17 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 21.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity

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Liste

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