YJD45P03A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YJD45P03A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 45 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.8 V
Carga de la puerta (Qg): 40 nC
Tiempo de subida (tr): 19 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 308 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJD45P03A
YJD45P03A Datasheet (PDF)
yjd45p03a.pdf
RoHS COMPLIANT YJD45P03A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -45A D R ( at V =-20V) 7.0mohm DS(ON) GS R ( at V =-10V) 8.0mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 13.0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology High density c
yjd45g10a.pdf
RoHS COMPLIANT YJD45G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 45A D R ( at V =10V) 17 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 21.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity
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