YJD45P03A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: YJD45P03A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 40 nC
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 308 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO252
YJD45P03A Datasheet (PDF)
yjd45p03a.pdf
RoHS COMPLIANT YJD45P03A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -45A D R ( at V =-20V) 7.0mohm DS(ON) GS R ( at V =-10V) 8.0mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 13.0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology High density c
yjd45g10a.pdf
RoHS COMPLIANT YJD45G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 45A D R ( at V =10V) 17 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 21.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
