YJD50N03A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJD50N03A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 198 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO252

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YJD50N03A datasheet

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YJD50N03A

RoHS COMPLIANT YJD50N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 50A D R ( at V =10V) 9.0mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 11.0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell

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