Справочник MOSFET. YJD50N03A

 

YJD50N03A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJD50N03A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для YJD50N03A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD50N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd50n03a.pdf pdf_icon

YJD50N03A

RoHS COMPLIANT YJD50N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 50A D R ( at V =10V) 9.0mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 11.0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell

Другие MOSFET... YJB200G06B , YJD15N10A , YJD18GP10A , YJD20N06A , YJD30N02A , YJD40N04A , YJD45G10A , YJD45P03A , SPP20N60C3 , YJD60N02A , YJD60N04A , YJD65G10A , YJD80N03A , YJD80N03B , YJD90N02A , YJG15GP10A , YJG30N06A .

History: BUK9M19-60E | DE275X2-501N16A | DE275-102N06A | FDZ7296 | SSF2816EB | AP4438GYT-HF | CS1N60

 

 
Back to Top

 


 
.