YJD60N04A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YJD60N04A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 54 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 29 nC
Tiempo de subida (tr): 36 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 223 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJD60N04A
YJD60N04A Datasheet (PDF)
yjd60n04a.pdf
RoHS COMPLIANT YJD60N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40V DS I 60A D R ( at V =10V) 7.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 9.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cel
yjd60n02a.pdf
RoHS COMPLIANT YJD60N02A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 60A D R ( at V =4.5V) 6.0mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 8.8mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 14mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package f
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