YJD60N04A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJD60N04A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для YJD60N04A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD60N04A даташит

 ..1. Size:620K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd60n04a.pdf pdf_icon

YJD60N04A

RoHS COMPLIANT YJD60N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40V DS I 60A D R ( at V =10V) 7.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 9.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cel

 7.1. Size:639K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd60n02a.pdf pdf_icon

YJD60N04A

RoHS COMPLIANT YJD60N02A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 60A D R ( at V =4.5V) 6.0mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 8.8mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 14mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package f

Другие IGBT... YJD18GP10A, YJD20N06A, YJD30N02A, YJD40N04A, YJD45G10A, YJD45P03A, YJD50N03A, YJD60N02A, 4435, YJD65G10A, YJD80N03A, YJD80N03B, YJD90N02A, YJG15GP10A, YJG30N06A, YJG40G10A, YJG50N03A