Справочник MOSFET. YJD60N04A

 

YJD60N04A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJD60N04A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для YJD60N04A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD60N04A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd60n04a.pdf pdf_icon

YJD60N04A

RoHS COMPLIANT YJD60N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40V DS I 60A D R ( at V =10V) 7.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 9.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cel

 7.1. Size:639K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd60n02a.pdf pdf_icon

YJD60N04A

RoHS COMPLIANT YJD60N02A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 60A D R ( at V =4.5V) 6.0mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 8.8mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 14mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package f

Другие MOSFET... YJD18GP10A , YJD20N06A , YJD30N02A , YJD40N04A , YJD45G10A , YJD45P03A , YJD50N03A , YJD60N02A , 2SK3568 , YJD65G10A , YJD80N03A , YJD80N03B , YJD90N02A , YJG15GP10A , YJG30N06A , YJG40G10A , YJG50N03A .

History: YJG30N06A | TPCA8A09-H | SIB410DK | IPB083N10N3G | STL9N60M2 | DMG3413L | TF68N80

 

 
Back to Top

 


 
.