YJD65G10A Todos los transistores

YJD65G10A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJD65G10A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 797 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm

Encapsulados: TO252

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros