YJD65G10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJD65G10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 34.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 797 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJD65G10A

YJD65G10A Datasheet (PDF)

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yjd65g10a.pdf

RoHS COMPLIANT YJD65G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 65A D R ( at V =10V) 8.6 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 11.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: