Справочник MOSFET. YJD65G10A

 

YJD65G10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJD65G10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 797 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для YJD65G10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD65G10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1376K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd65g10a.pdf pdf_icon

YJD65G10A

RoHS COMPLIANT YJD65G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 65A D R ( at V =10V) 8.6 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 11.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity

Другие MOSFET... YJD20N06A , YJD30N02A , YJD40N04A , YJD45G10A , YJD45P03A , YJD50N03A , YJD60N02A , YJD60N04A , AON7410 , YJD80N03A , YJD80N03B , YJD90N02A , YJG15GP10A , YJG30N06A , YJG40G10A , YJG50N03A , YJG70G06A .

History: QM3001D | STU600S | KP784A | UPA1872BGR | PMN28UNE | BSB017N03LX3 | 2SJ596

 

 
Back to Top

 


 
.