Справочник MOSFET. YJD65G10A

 

YJD65G10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YJD65G10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   trⓘ - Время нарастания: 34.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 797 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для YJD65G10A

 

 

YJD65G10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1376K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd65g10a.pdf

YJD65G10A YJD65G10A

RoHS COMPLIANT YJD65G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 65A D R ( at V =10V) 8.6 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 11.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top