YJD65G10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: YJD65G10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 96 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 65 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 32 nC
Время нарастания (tr): 34.8 ns
Выходная емкость (Cd): 797 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0086 Ohm
Тип корпуса: TO252
YJD65G10A Datasheet (PDF)
..1. Size:1376K cn yangzhou yangjie elec
yjd65g10a.pdf
yjd65g10a.pdf
RoHS COMPLIANT YJD65G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 65A D R ( at V =10V) 8.6 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 11.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
