YJD65G10A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJD65G10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 797 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для YJD65G10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD65G10A даташит

 ..1. Size:1376K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd65g10a.pdf pdf_icon

YJD65G10A

Другие IGBT... YJD20N06A, YJD30N02A, YJD40N04A, YJD45G10A, YJD45P03A, YJD50N03A, YJD60N02A, YJD60N04A, SPP20N60C3, YJD80N03A, YJD80N03B, YJD90N02A, YJG15GP10A, YJG30N06A, YJG40G10A, YJG50N03A, YJG70G06A