YJD80N03A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YJD80N03A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 54 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 54 nC
Tiempo de subida (tr): 20.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 323 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0045 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJD80N03A
YJD80N03A Datasheet (PDF)
yjd80n03a.pdf
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RoHS COMPLIANT YJD80N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 80A D R ( at V =10V) 4.5mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 6.0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% V Tested DSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell
yjd80n03b.pdf
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RoHS COMPLIANT YJD80N03B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 80A D R ( at V =10V) 5.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 8.0 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cel
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