YJD80N03A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJD80N03A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для YJD80N03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD80N03A даташит

 ..1. Size:816K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd80n03a.pdf pdf_icon

YJD80N03A

RoHS COMPLIANT YJD80N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 80A D R ( at V =10V) 4.5mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 6.0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% V Tested DS General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell

 6.1. Size:620K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd80n03b.pdf pdf_icon

YJD80N03A

RoHS COMPLIANT YJD80N03B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 80A D R ( at V =10V) 5.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 8.0 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cel

Другие IGBT... YJD30N02A, YJD40N04A, YJD45G10A, YJD45P03A, YJD50N03A, YJD60N02A, YJD60N04A, YJD65G10A, SKD502T, YJD80N03B, YJD90N02A, YJG15GP10A, YJG30N06A, YJG40G10A, YJG50N03A, YJG70G06A, YJG80G06B