Справочник MOSFET. YJD80N03A

 

YJD80N03A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJD80N03A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD80N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:816K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd80n03a.pdf pdf_icon

YJD80N03A

RoHS COMPLIANT YJD80N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 80A D R ( at V =10V) 4.5mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 6.0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% V Tested DSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell

 6.1. Size:620K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd80n03b.pdf pdf_icon

YJD80N03A

RoHS COMPLIANT YJD80N03B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 80A D R ( at V =10V) 5.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 8.0 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cel

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STLT30 | AP4604IN | 2SK1471 | IRL8113LPBF | 2SK1637 | IRLSZ34A | STD14NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.