Справочник MOSFET. YJD80N03A

 

YJD80N03A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJD80N03A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для YJD80N03A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD80N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:816K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd80n03a.pdf pdf_icon

YJD80N03A

RoHS COMPLIANT YJD80N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 80A D R ( at V =10V) 4.5mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 6.0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% V Tested DSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell

 6.1. Size:620K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd80n03b.pdf pdf_icon

YJD80N03A

RoHS COMPLIANT YJD80N03B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 80A D R ( at V =10V) 5.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 8.0 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cel

Другие MOSFET... YJD30N02A , YJD40N04A , YJD45G10A , YJD45P03A , YJD50N03A , YJD60N02A , YJD60N04A , YJD65G10A , IRF9540N , YJD80N03B , YJD90N02A , YJG15GP10A , YJG30N06A , YJG40G10A , YJG50N03A , YJG70G06A , YJG80G06B .

History: IXFH68N20 | HM70N88 | KI1400DL | AP73T03GH-HF | AOB2618L | PMH1200UPE | NCE65N230

 

 
Back to Top

 


 
.