YJD90N02A Todos los transistores

 

YJD90N02A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJD90N02A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 701 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de YJD90N02A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

YJD90N02A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:593K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd90n02a.pdf pdf_icon

YJD90N02A

RoHS COMPLIANT YJD90N02A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 90A D R ( at V =4.5V) 4.5mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 5.0mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 7.5mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package

Otros transistores... YJD45G10A , YJD45P03A , YJD50N03A , YJD60N02A , YJD60N04A , YJD65G10A , YJD80N03A , YJD80N03B , TK10A60D , YJG15GP10A , YJG30N06A , YJG40G10A , YJG50N03A , YJG70G06A , YJG80G06B , YJG85G06AK , YJG90G10A .

History: 2SK2666 | KDB3632 | 2SK817 | APT10M19BVFRG | DMN2550UFA | G100N03 | OSG65R580DF

 

 
Back to Top

 


 
.