YJD90N02A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJD90N02A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 701 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJD90N02A

YJD90N02A Datasheet (PDF)

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yjd90n02a.pdf

RoHS COMPLIANT YJD90N02A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 90A D R ( at V =4.5V) 4.5mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 5.0mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 7.5mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package

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Liste

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