Справочник MOSFET. YJD90N02A

 

YJD90N02A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJD90N02A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 701 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для YJD90N02A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD90N02A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:593K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd90n02a.pdf pdf_icon

YJD90N02A

RoHS COMPLIANT YJD90N02A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 90A D R ( at V =4.5V) 4.5mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 5.0mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 7.5mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package

Другие MOSFET... YJD45G10A , YJD45P03A , YJD50N03A , YJD60N02A , YJD60N04A , YJD65G10A , YJD80N03A , YJD80N03B , TK10A60D , YJG15GP10A , YJG30N06A , YJG40G10A , YJG50N03A , YJG70G06A , YJG80G06B , YJG85G06AK , YJG90G10A .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.