YJD90N02A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJD90N02A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 701 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для YJD90N02A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJD90N02A даташит

 ..1. Size:593K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd90n02a.pdf pdf_icon

YJD90N02A

RoHS COMPLIANT YJD90N02A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 90A D R ( at V =4.5V) 4.5mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 5.0mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 7.5mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package

Другие IGBT... YJD45G10A, YJD45P03A, YJD50N03A, YJD60N02A, YJD60N04A, YJD65G10A, YJD80N03A, YJD80N03B, 13N50, YJG15GP10A, YJG30N06A, YJG40G10A, YJG50N03A, YJG70G06A, YJG80G06B, YJG85G06AK, YJG90G10A