YJG30N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJG30N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 30 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 21 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 132 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJG30N06A

YJG30N06A Datasheet (PDF)

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yjg30n06a.pdf

RoHS COMPLIANT YJG30N06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 30A D R ( at V = 10V) 20mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 23mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications DC-DC Converters

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: