YJG30N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJG30N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJG30N06A

YJG30N06A Datasheet (PDF)

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yjg30n06a.pdf

RoHS COMPLIANT YJG30N06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 30A D R ( at V = 10V) 20mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 23mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications DC-DC Converters

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: