YJG30N06A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJG30N06A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для YJG30N06A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJG30N06A даташит

 ..1. Size:1132K  cn yangzhou yangjie elec
 yjg30n06a.pdf pdf_icon

YJG30N06A

RoHS COMPLIANT YJG30N06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 30A D R ( at V = 10V) 20mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 23mohm DS(ON) GS General Description Trench Power MV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications DC-DC Converters

Другие IGBT... YJD50N03A, YJD60N02A, YJD60N04A, YJD65G10A, YJD80N03A, YJD80N03B, YJD90N02A, YJG15GP10A, 12N60, YJG40G10A, YJG50N03A, YJG70G06A, YJG80G06B, YJG85G06AK, YJG90G10A, YJJ09N03A, YJL02N10A