Справочник MOSFET. YJG30N06A

 

YJG30N06A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJG30N06A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для YJG30N06A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJG30N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1132K  cn yangzhou yangjie elec
 yjg30n06a.pdf pdf_icon

YJG30N06A

RoHS COMPLIANT YJG30N06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 30A D R ( at V = 10V) 20mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 23mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications DC-DC Converters

Другие MOSFET... YJD50N03A , YJD60N02A , YJD60N04A , YJD65G10A , YJD80N03A , YJD80N03B , YJD90N02A , YJG15GP10A , 4N60 , YJG40G10A , YJG50N03A , YJG70G06A , YJG80G06B , YJG85G06AK , YJG90G10A , YJJ09N03A , YJL02N10A .

History: SIB410DK | TPCA8A09-H | IRFU3706 | DMG3413L | TF68N80 | STL9N60M2 | IPB083N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.