YJG40G10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJG40G10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 16 nC
   Tiempo de subida (tr): 11 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 399 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0175 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJG40G10A

YJG40G10A Datasheet (PDF)

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yjg40g10a.pdf

RoHS COMPLIANT YJG40G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 40A D R ( at V =10V) 17.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 21.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split gate trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High densit

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Liste

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